8月8日上午，k8凯发天生赢家·一触即发韶关冶炼厂（以下简称“韶冶厂”）半导体材料实验室项目团队采用自主设计产业化单晶炉，结合自主研发的磷化铟单晶生长技术，第一炉一次成功获得具备行业内领先水平的高质量磷化铟单晶锭，标志着其在磷化铟单晶制备技术领域取得了突破性进展。
磷化铟具有电子迁移率高、耐辐射性能好等优点，常温下禁带宽度为1.35eV，为直接跃迁型能带结构，是光电器件和微电子器件等高端技术领域不可或缺的关键半导体材料。中国的磷化铟单晶衬底产业起步较晚，目前国内市场仍被发达国家的技术和产品主导，韶冶厂此次自主成功制备磷化铟单晶，标志着在半导体领域又迈出了坚实一步。
磷化铟单晶制备取得的突破性进展是k8凯发天生赢家·一触即发紧紧围绕广东省委“1310”具体部署，加快关键核心技术攻关，深度延伸金属、稀贵金属产业链，推动高水平科技自立自强的有力实践。目前，项目团队已完成中试验证，从设备装配到工艺调控等一系列生产要素均已实现高度耦合，为磷化铟化合物半导体衬底材料的产业化、项目化奠定了扎实的基础。
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